Samsung on siirtynyt 20 nm: iin NAND Flash -piireille

Korealainen yritys käyttää 64 Gigabitin datatiheyttä uusissa siruissaan, mikä näkyy myös SSD-tuotteissa.

Samsung Electronics on myös virallisesti ilmoittanut aloittaneensa ns. Toggle DDR2.0 MLC -tyyppisten NAND Flash -piirien tuotannon, jotka on valmistettu 20 nm: n prosessilla ja joiden datatiheys on 64 gigatavua (8 Gt). Käyttöliittymä, nimeltään Toggle DDR2.0, pystyy 400 Mbps: iin, mikä on kymmenkertainen lisäys SDR (Single Data Rate) NAND Flash -muisteihin verrattuna, koska jälkimmäiset pystyvät vain 40 megabittiin. Ja käyttöliittymä, nimeltään Toggle DDR 1.0, voi pakata 133 megabittiä dataa sekunnissa, mikä tekee versiosta 2.0 kolminkertaisen nopeuden. Viimeisenä mutta ei vähäisimpänä, valmistaja odottaa 50% parempaa tuottoa 32 Gbit -versioihin verrattuna.

Samsung suunnittelee ja suosittelee uutta kehitystä ensisijaisesti neljännen sukupolven älypuhelimille, tableteille ja SATA III -liitäntää käyttäville SSD-tuotteille.