Toshiba vaivaa 24 nm: iin
He haluavat tehdä suuremman kapasiteetin Flash -siruja pienemmällä kaistanleveydellä.
Sen jälkeen kun Intel ja Micron julkistivat oman SSD-ratkaisunsa 25 nm: n valmistustekniikalla, myös Toshiba ryhtyy taisteluun ja haluaa kilpailla Samsungin kanssa kahden yrityksen lisäksi, joten he aikovat julkaista 90 NAND-Flash-sirua vuoden loppuun mennessä % on tehtävä aallonpituudella 32 tai 24 nm. Tietenkin ponnistellaan paljon, jotta siirtyminen 24 nm: iin tapahtuisi mahdollisimman nopeasti, koska tämä saa enemmän siruja kiekkoa kohti, joten myös kustannuksia voidaan pienentää.
Painopiste on tällä hetkellä 64 GbitesMLC -sirulla, mutta myös 32 Gbites TLC (Triple Level Cell) -piireillä on tärkeä rooli.
