Maailman ensimmäinen 25 nm: n DRAM-siru on valmistunut
Elpida valmistautuu merkittävään teknologiseen harppaukseen DDR3-linjalla tänä vuonna.
Japanilainen Elpida, yksi maailman suurimmista DRAM-sirujen valmistajista, on ilmoittanut lähitulevaisuuden suunnitelmista. Heidän mukaansa valmistaja viimeistelee 25 nm: n tuotantolinjat tänä vuonna, mutta aloittaa myös massatuotannon. Ensimmäiset näytteet on jo valmistettu. Uuden prosessin avulla tuoreet DRAM-sirut absorboivat 30% vähemmän tilaa kuin 30 nm: n vastaavat, mikä teoriassa tarkoittaa 30% parempia saantoja. Kulutus - myös edelliseen sukupolveen verrattuna - voi olla jopa 15% (kuormitettuna) tai 20% (valmiustilassa). Uuden DDR3-standardin mukaisen DRAM-sirun kapasiteetti on 2 Gbit ja nopeus, joka voidaan nostaa yli 1.866 MHz: n. Käyttöjännite on 1,5 volttia tällä taajuudella ja 1.600 volttia 1,35 MHz: llä.
Valmistaja haluaa aloittaa massatuotannon heinäkuussa, kun taas 4 Gbit -versioiden sarjatuotannon alkamispäivä on vuoden loppu. Viimeksi mainituille versioille Elpida-insinöörit ennustavat tuoton paranevan 44%. Virallinen asiakirja ladattavissa yrityksen puolelta.
